自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D
簡要描述:自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D1·涂布均勻,厚度平整 2· 涂布速度可以隨意調(diào)整 3· 操作方便,效率高 自動(dòng)涂布機(jī) 型號(hào)CM10D CM1624D Z大網(wǎng)版尺寸1000x1000mm/1600x2400mm
產(chǎn)品型號(hào): CM1624D
所屬分類:科研實(shí)驗(yàn)
更新時(shí)間:2024-10-06
廠商性質(zhì):其他
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
---|
自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D
1·涂布均勻,厚度平整
2· 涂布速度可以隨意調(diào)整
3· 操作方便,效率高
自動(dòng)涂布機(jī)
型號(hào)CM10D CM1624D
自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D
zui大網(wǎng)版尺寸1000x1000mm/1600x2400mm
涂布速度0-8m/min
電源220v/380v
功率1kw
重量400kg/500kg
產(chǎn)品名稱:鏡面式露點(diǎn)變送器 產(chǎn)品型號(hào):OPT |
鏡面式露點(diǎn)變送器 型號(hào):OPT
產(chǎn)品簡介
嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓I(yè)過程需要精確的和可靠的測(cè)量與控制. 多年以來,密析爾的冷鏡式露點(diǎn)測(cè)量技術(shù)以其*的精度,可靠性與操作簡便而聞名,無論是在實(shí)驗(yàn)室或是其他工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合.現(xiàn)在,Optidew將所有的這些優(yōu)勢(shì)集中到一個(gè)能于任何嚴(yán)格的露點(diǎn)或相對(duì)濕度測(cè)量的工業(yè)變送器中.
泛用的軟件使用戶能輕松設(shè)定儀器的參數(shù)如度量單位 (RH, 露點(diǎn), 溫度, g/kg 及 g/m3), 輸出范圍, ℃ 或 ℉ 選擇等. 該軟件還能提供數(shù)據(jù)資料記錄和現(xiàn)場(chǎng)制圖,就象zui小值/zui大值/平均值 計(jì)算一樣便利.
Optidew 擁有單級(jí)或兩級(jí)冷卻,并且有一體式, 遠(yuǎn)傳式或探針型傳感器供選擇. 兩種顯示選項(xiàng)提供 簡單的 3.5 數(shù)字 LED 顯示器或者是更復(fù)雜的背發(fā)光 LCD 顯示器以供選擇.
Optidew 的顯示系統(tǒng)使用高清晰的數(shù)字輸出用于顯示以測(cè)量的濕度讀數(shù)
產(chǎn)品特點(diǎn)
1.無漂移的露點(diǎn)測(cè)量原理
2.高性能的數(shù)字控制回路技術(shù)
3.結(jié)構(gòu)牢固,IP66級(jí)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外殼
4.工業(yè)過程露點(diǎn)、%RH和溫度精密測(cè)量
5.高溫傳感器可選,zui高130℃
測(cè)量范圍 | zui低露點(diǎn)-29℃(無輔助散熱,環(huán)境溫度21℃) |
精 度 | ±0.2露點(diǎn) ±0.1℃溫度 |
反應(yīng)速度 | 1℃每秒 |
測(cè)量單位 | ℃℉露點(diǎn);℃℉溫度:%rh gm-3,gkg-1 |
工作壓力 | 高至25MPa |
工作溫度 | -40… +90℃(探頭部分)-20…+40℃(整機(jī)) |
變送器主體 | 316不銹鋼 |
傳感器鏡面 | 鍍金銅 |
電纜長度 | 250米 zui長 |
流量等級(jí) | 建議位0.1…2NL/Min |
工作電源 | 85…264V,47/440Hz |
輸出信號(hào) | 4…20 mA,RS232,報(bào)警 |
用戶校驗(yàn) | 出廠前已經(jīng)校準(zhǔn) |
溯源性 | NPL(英國)和NIST(美國) |
質(zhì)量保證期 | 12個(gè)月 |
產(chǎn)品名稱:實(shí)驗(yàn)室氨氮快速比色測(cè)定儀 實(shí)驗(yàn)室氨氮測(cè)定儀 產(chǎn)品型號(hào): 100NH |
實(shí)驗(yàn)室氨氮快速比色測(cè)定儀 實(shí)驗(yàn)室氨氮測(cè)定儀 型號(hào): 100NH
儀器依測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的不同,有A、B類型。其中A型采用納氏試劑比色法GB7479-87;B型采用國標(biāo)GB7418—81及ISO7150/1—1984所規(guī)范的水楊酸光度法為基本測(cè)試手段,輔以樣品比色反應(yīng)預(yù)處理,實(shí)現(xiàn)樣品的快速、準(zhǔn)確的比色測(cè)定,具有穩(wěn)定、靈敏、可靠以及不含汞等優(yōu)點(diǎn)。
特點(diǎn):
1.儀器采用標(biāo)準(zhǔn):水楊酸比色法完成水質(zhì)氨氮測(cè)量,采用標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)范的二氯異三氰酸鈉,取代常用次氯酸鈉,使試劑溶液含氯穩(wěn)定性和有效性大大增強(qiáng)(B型)。
2.儀器可進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)比色曲線的制作、貯存,并或根據(jù)不同水體對(duì)象進(jìn)行水質(zhì)氨氮比色曲線調(diào)整。
3.采用*光路比色系統(tǒng),是儀器的可靠、穩(wěn)定性有較大的提高。
4.*的樣品處理方式,在分析結(jié)果準(zhǔn)確的前提下,縮短分析時(shí)間(B型)。
技術(shù)指標(biāo)和性能參數(shù)
1.測(cè)量范圍:氨氮濃度0.01mg/L~20mg/L 直接測(cè)量;大于20mg/L的水質(zhì)稀釋測(cè)量;
2.儀器準(zhǔn)確度:氨氮濃度為0.01mg/L~0.1mg/L,對(duì)誤差≤±0.01mg/L;氨氮濃度為>0.1mg/L~1.0mg/L,相對(duì)誤差≤±10%
3.儀器重復(fù)性誤差:氨氮濃度為0.01mg/L~0.1mg/L,標(biāo)準(zhǔn)偏差S≤0.01mg/L;氨氮濃度為>0.1mg/L~1.0mg/L,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差Cv≤8%
4.分析時(shí)間:不大于30min;
5.數(shù)據(jù)輸入:薄膜開關(guān)鍵盤;
6.數(shù)據(jù)輸出:LCD顯示,打印機(jī)打印
產(chǎn)品名稱:半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào):CS2935 |
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀型號(hào):CS2935
一、產(chǎn)品特點(diǎn):
測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和*性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控,測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。
二、測(cè)試參數(shù)
1. 二管
VF、IR、BVR
2. 穩(wěn)壓(齊納)二管
VF、IR、BV Z
3. 晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4. 可控硅整流器(晶閘管)
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5. 場(chǎng)效應(yīng)管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6. 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7.三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV
三、測(cè)試參數(shù)范圍
晶體管
測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試范圍 |
ICEO ICBO IEBO | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) VBE(sat) | 0.10V-30V |
VBE(VBE(on)) | 0.10V-30V |
hFE | 1-99999 |
V(BR)EBO | 0.10V-30V |
V(BR)CEO V(BR)CBO | 0. 10V-50V 50V-1499V |
二管
測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
V(BR) | 1V-50V |
50V-1499V |
穩(wěn)壓二管
測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
VZ | 0.10V-50V |
三端穩(wěn)壓器
測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試范圍 |
VO | 0.10V-30V |
SV | 0.10mV-1V |
ID | 1uA-10mA |
IDV | 1uA-10mA |
MOSFET
測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試范圍 |
VGS(th) | 0.10V-30V |
gfs | 0.1mS-1000S |
RDS(on) | 10mΩ-100KΩ |
VDS(on) | 0.10V-50V |
IGSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IDSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
ID(on) | 0-50A |
V(BR)GSS | 0.1V-30V |
V(BR)DSS | 0.1V-1499V |
光耦
測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試范圍 |
VF | 0.10V-30V |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) | 0.10V-50V |
CTR | 0.1%-1000% |
ICEO | 與IR參數(shù)相同 |
V(BR)ECO V(BR)CEO | 0.10V-50V 50V-1499V |
可控硅
測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試范圍 |
IGT | 10uA-200mA |
VGT | 0.10V-30V |
IH | 10uA-1A |
IL | 10uA-1A |
VTM | 0.10V-50V |
四、技術(shù)指標(biāo)
1、源的指標(biāo)
主壓流源 (VA)
電壓:
設(shè)定范圍(V) | 精確度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~50) | ±(73.2mV+0.5%set) |
電流:
測(cè)量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A(脈沖) | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A(脈沖) | ±(244mA+0.5%set) |
壓流源 (VB)
電壓:
設(shè)定范圍(V) | 精確度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~30) | ±(43.8mV+0.5%set) |
電流:
測(cè)量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A(脈沖) | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A(脈沖) | ±(244mA+0.5%set) |
源(HV)
設(shè)定范圍(V) | 精確度 |
0~1500 | ±(1.22V+1%set) |
*1500V時(shí) 大輸出為5mA。
2、電壓表的指標(biāo)
測(cè)漏電流
測(cè)量范圍 | 精確度 |
±(0~200)nA | ±(2.44nA+0.5% Rdg) |
±(0.2-2)uA | ±(24.4nA+0.5% Rdg) |
±(2-20)uA | ±(244nA+0.5% Rdg) |
±(20~200) uA | ±(2.44uA+0.5% Rdg) |
±(0.2~2)mA | ±(24.4uA+0.5% Rdg) |
±(2-20)mA | ±(244uA+0.5% Rdg) |
測(cè)試電壓
設(shè)定范圍(V) | 精確度 |
±(0~10) | ±(3mV+0.5% Rdg) |
±(10~50) | ±(15mV+0.5% Rdg) |
測(cè)擊穿電壓
設(shè)定范圍(V) | 精確度 |
(0~50)V/10mA | ±(36.6mV+0.25% Rdg) |
(50~1500)V/1mA | ±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍數(shù)
設(shè)定范圍(V) | 精確度 |
1~9999 | 1% |